PJM7N02SA

品牌
PJ
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
Load/ power switching Small portable electronics

物料参数

安装类型:SMT
连续漏极电流Id@25℃:7A
包装:Tape/reel
漏源导通电阻 RDS(on):45 mΩ
漏源击穿电压BVDSS:20V
FET类型:N沟道
长x宽/尺寸:2.90x1.30mm
存储温度:-55~+150℃
封装/外壳:SOT-23
栅极源极击穿电压:±12V
配置:Single
栅极电荷(Qg)(Max):15nC
最小包装:3000pcs
功率(Max):1.2W
漏源电压(Vdss):20V
导通电阻Rds On(Max):26mΩ
认证信息:RoHS
工作温度(Tj):+150℃
零件状态:Active
高度:1.03mm