UMWSI2310A

品牌
UMW
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
MOS 管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3A Pd=1.38W SOT23

物料参数

安装类型:SMT
漏源电流(Idss):3A
击穿电压:60V
功率耗散:1.38W
阈值电压:3V
极性:N-沟道
连续漏极电流:3A
长x宽/尺寸:3.00 x 1.40mm
封装/外壳:SOT-23
反向传输电容Crss:40pF
栅极源极击穿电压:±20V
输入电容(Ci):490pF
工作温度:-55℃~+150℃
Vgs(Max):±20V
漏源电压(Vdss):60V
导通电阻(RDS(on):90mΩ
高度:1.05mm
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
5+¥0.4175
20+¥0.3800
100+¥0.3425
500+¥0.3050
1000+¥0.2875
2000+¥0.2750
包装:5 库存:0