UMW1N65G
品牌
UMW
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N-沟道功率 MOS 管
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 是否无铅: | Yes |
| 漏源电流(Idss): | 1A |
| 击穿电压: | 650V |
| 阈值电压: | 4V@250µA |
| 原始制造商: | UMW |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 600mA |
| 封装/外壳: | SOT-223 |
| 元件生命周期: | Active |
| 反向传输电容Crss: | 5.4pF |
| 工作温度: | +150℃ |
| 充电电量: | 4.8nC |
| 配置: | 单路 |
| 输入电容: | 150pF |
| Vgs(Max): | ±30V |
| 漏源电压(Vdss): | 650V |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥0.4590 |
| 20+ | ¥0.4185 |
| 100+ | ¥0.3780 |
| 500+ | ¥0.3375 |
| 1000+ | ¥0.3186 |
| 2000+ | ¥0.3051 |
| 包装：5 | 库存：0 |