MMBTSA1015

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供应商
分类
晶体管 > 通用三极管
描述
PNP硅外延平面晶体管

物料参数

安装类型:SMT
集电极-基极电压(VCBO):50V
原始制造商:China Base Electronics Technology Co.,Ltd.
包装:Tape/reel
Vce饱和压降:0.3V
集射极击穿电压Vceo:50V
跃迁频率:80MHz
原产地:China Hong Kong
集射极饱和电压(VCE(sat)):50V
长x宽/尺寸:3.10 x 1.65mm
存储温度:-65℃~+150℃
封装/外壳:SOT-23
工作温度:+150℃
集电极电流 Ic:150mA
封装技术:Plastic Package
最小包装:3000pcs
发射极与基极之间电压 VEBO:5V
高度:1.40mm
晶体管类型:PNP
DC电流增益(hFE):200
价格梯度 价格
100+¥0.0465
包装:100 库存:100