MMBTSA1015
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分类
晶体管 > 通用三极管
描述
PNP硅外延平面晶体管
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | CBI |
| 功率耗散: | 200mW |
| 集电极-基极电压（VCBO）: | 50V |
| 原始制造商: | China Base Electronics Technology Co.,Ltd. |
| 包装: | Tape/reel |
| Vce饱和压降: | 0.3V |
| 极性: | PNP |
| 集射极击穿电压Vceo: | 50V |
| 跃迁频率: | 80MHz |
| 存储温度: | -65℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | SOT-23 |
| 元件生命周期: | Active |
| 工作温度: | +150℃ |
| 集电极截止电流 (Icbo): | 0.1μA |
| 特征频率(fT): | 80MHz |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | PNP |
| DC电流增益(hFE): | 200 |
| 引脚数: | 3Pin |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 100+ | ¥0.0465 |
| 包装：100 | 库存：100 |