NCE2030K

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):30A 功率(Pd):40W

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:20V
阈值电压:1.2V@250µA
额定功率:40W
原始制造商:WUXI NCE POWER CO., Ltd.
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):13mΩ@4.5V,20A
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:30A
封装/外壳:TO-252(DPAK)
漏极电流:1uA
反向传输电容Crss:201.4pF
工作温度:-55℃~+175℃
充电电量:23.5nC
配置:单路
输入电容:900pF
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):15nC
晶体管类型:N沟道
引脚数:2Pin
价格梯度 价格
1+¥1.2588
包装:1 库存:6