NCE0110K
品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.6A RDS(ON)=140mΩ@10V TO252-2L
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | NCE |
| 漏源电流(Idss): | 9.6A |
| 功率耗散: | 30W |
| 阈值电压: | 1.8V |
| 包装: | Tape/reel |
| 原产地: | China |
| 连续漏极电流: | 9.6A |
| 存储温度: | -55℃~+175℃ |
| 长x宽/尺寸: | 6.70 x 6.20mm |
| 封装/外壳: | TO-252(DPAK) |
| 输入电容(Ci): | 690pF |
| 工作温度: | -55℃~+175℃(TJ) |
| 充电电量: | 15.5nC |
| 配置: | 单路 |
| Vgs(Max): | ±20V |
| 漏源电压(Vdss): | 100V |
| 导通电阻(RDS(on): | 140mΩ@10V,6A |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 类型: | 1个N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 2+ | ¥1.8221 |
| 20+ | ¥1.4157 |
| 60+ | ¥1.2462 |
| 200+ | ¥1.0164 |
| 1000+ | ¥0.9141 |
| 2500+ | ¥0.8526 |
| 包装：2 | 库存：1016 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.8185 |
| 包装：1 | 库存：10 |