NCE0110K

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.6A RDS(ON)=140mΩ@10V TO252-2L

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:100V
功率耗散:30W
阈值电压:1.8V@250µA
原始制造商:WUXI NCE POWER CO., Ltd.
额定功率:30W
包装:Tape/reel
连续漏极电流:9.6A
封装/外壳:TO-252(DPAK)
漏极电流:9.6A
栅极源极击穿电压:±20V
反向传输电容Crss:90pF
工作温度:-55℃~+175℃(TJ)
充电电量:15.5nC
配置:单路
原产国家:China
Vgs(Max):±20V
最小包装:2500pcs
漏源电压(Vdss):100V
晶体管类型:N沟道
价格梯度 价格
5+¥0.9851
50+¥0.6499
500+¥0.5661
1000+¥0.4990
2500+¥0.4915
包装:5 库存:1113
价格梯度 价格
1+¥0.8185
包装:1 库存:10