AO4292E
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晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=8A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SO8
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | ±20V |
| 阈值电压: | 2.7V@250µA |
| 额定功率: | 3.1W |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 23mΩ@10V,8A |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 8A |
| 封装/外壳: | SOIC8N_150MIL |
| 漏极电流: | 5μA |
| 栅极源极击穿电压: | 33mΩ |
| 反向传输电容Crss: | 6.3pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 配置: | 单路 |
| 系列: | - |
| 原产国家: | America |
| 漏源电压(Vdss): | 100V |
| 栅极电荷(Qg): | 25nC |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 引脚数: | 8Pin |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.3543 |
| 10+ | ¥1.2502 |
| 30+ | ¥1.2293 |
| 100+ | ¥1.1668 |
| 包装：1 | 库存：104 |