AO4292E

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供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=8A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SO8

物料参数

安装类型:SMT
品牌:AOS
漏源电流(Idss):5μA
功率耗散:3.1W
阈值电压:2.7V
包装:Tape/reel
连续漏极电流:8A
封装/外壳:SOIC8N_150MIL
制造商标准提前期:16 周
栅极源极击穿电压:33mΩ
输入电容(Ci):1.2nF
反向传输电容Crss:6.3pF
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
Vgs(Max):±20V
漏源电压(Vdss):100V
导通电阻(RDS(on):23mΩ@10V
栅极电荷(Qg):25nC
晶体管类型:N沟道
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
1+¥2.7742
10+¥2.1854
30+¥1.9208
包装:1 库存:59