AP30H80G

品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):70A 功率(Pd):65W

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
品牌:ALLPOWER
阈值电压:1.5V@250µA
额定功率:65W
原始制造商:Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd.
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.8mΩ@10V,30A
包装:Tape/reel
连续漏极电流:70A
封装/外壳:PDFN-8(5x6)
元件生命周期:Active
反向传输电容Crss:215pF@15V
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
原产国家:China
最小包装:5000pcs
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):33.7nC
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道
价格梯度 价格
5+¥1.0869
50+¥0.8228
800+¥0.5683
1600+¥0.5054
包装:5 库存:1189