AP30H80G
品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：70A 功率(Pd)：65W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 功率耗散: | 65W |
| 阈值电压: | 1.5V |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 70A |
| 长x宽/尺寸: | 5.85 x 5.00mm |
| 封装/外壳: | PDFN-8(5x6) |
| 反向传输电容Crss: | 215pF@15V |
| 输入电容(Ci): | 1.614nF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 导通电阻(RDS(on): | 4.8mΩ@10V |
| 栅极电荷(Qg): | 33.7nC |
| 高度: | 1.17mm |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 类型: | 1个N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥1.0714 |
| 50+ | ¥0.8195 |
| 150+ | ¥0.7140 |
| 500+ | ¥0.5718 |
| 2500+ | ¥0.5086 |
| 4000+ | ¥0.4706 |
| 包装：5 | 库存：1189 |