NCEP040N10D

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):130A 功率(Pd):210W

物料参数

安装类型:SMT
漏源电流(Idss):1uA
击穿电压:100V
阈值电压:4V
原始制造商:WUXI NCE POWER CO., Ltd.
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:130A
长x宽/尺寸:10.16 x 8.92mm
封装/外壳:TO-263(D²Pak)
输入电容(Ci):6.3nF
工作温度:-55℃~+175℃
配置:单路
Vgs(Max):20V
最小包装:800pcs
漏源电压(Vdss):100V
栅极电荷(Qg):110nC
高度:4.44mm
晶体管类型:N沟道
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
1+¥6.0000
10+¥5.0000
30+¥4.3000
800+¥3.2800
包装:1 库存:0