NCEP040N10D
品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：130A 功率(Pd)：210W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 漏源电流(Idss): | 1uA |
| 功率耗散: | 210W |
| 阈值电压: | 4V@250µA |
| 额定功率: | 210W |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 130A |
| 存储温度: | -55℃~+175℃ |
| 封装/外壳: | TO-263(D²Pak) |
| 元件生命周期: | Active |
| 反向传输电容Crss: | 40pF |
| 工作温度: | -55℃~+175℃ |
| 充电电量: | 110nC |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China |
| Vgs(Max): | 20V |
| 漏源电压(Vdss): | 100V |
| 栅极电荷(Qg): | 110nC |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | N沟道 |