AP4580

品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
2个N沟道和2个P沟道(全桥)漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):N:2/1.5 P:1.8/1.3A 功率(Pd):1.4W

物料参数

安装类型:SMT
功率耗散:1.4W
阈值电压:0.7V
额定功率:1.4W
包装:Tape/reel
极性:N-沟道,P-沟道
连续漏极电流:2A,1.8A
长x宽/尺寸:2.95 x 1.60mm
封装/外壳:SOT23-8L
漏极电流:20A
工作温度:-55℃~+150℃
充电电量:2.7nC
配置:Series
原产国家:China
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):2.7nC
零件状态:Active
晶体管类型:2个N沟道和2个P沟道
类型:2个N沟道+2个P沟道
价格梯度 价格
1+¥0.7427
100+¥0.6931
300+¥0.6436
500+¥0.5941
2000+¥0.5694
5000+¥0.5545
包装:1 库存:10