AP4580
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ALLPOWER
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分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
2个N沟道和2个P沟道(全桥)漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：N:2/1.5 P:1.8/1.3A 功率(Pd)：1.4W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 漏源电流(Idss): | 20A |
| 功率耗散: | 1.4W |
| 阈值电压: | 700mV |
| 极性: | N-沟道,P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 2A,1.8A |
| 长x宽/尺寸: | 2.95 x 1.60mm |
| 封装/外壳: | SOT23-8 |
| 输入电容(Ci): | 240pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 导通电阻(RDS(on): | 90mΩ |
| 栅极电荷(Qg): | 2.7nC |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | 2个N沟道和2个P沟道 |
| 类型: | 2个N沟道+2个P沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 10+ | ¥0.4173 |
| 100+ | ¥0.3798 |
| 300+ | ¥0.3625 |
| 3000+ | ¥0.2414 |
| 6000+ | ¥0.2286 |
| 9000+ | ¥0.2223 |
| 包装：10 | 库存：5685 |