SPT25N120T1

品牌
SPTECH
供应商
分类
晶体管 > IGBT
描述
1200V/25A沟槽场阻IGBT

物料参数

安装类型:插件
正向电流:50A
关断延迟时间:200ns
Vce饱和压降:1.65V
包装:Tube packing
极性:NPN
跃迁频率:-
集射极击穿电压Vceo:1.2KV
封装/外壳:TO-247-3
元件生命周期:Active
上升/下降沿时间:21ns
工作温度:-40℃~+150℃
配置:单路
开通延迟时间:45ns
零件状态:Active
DC电流增益(hFE):-
晶体管类型:FS(场截止)
价格梯度 价格
1+¥9.2950
10+¥8.5800
30+¥8.4370
包装:1 库存:0