PJM3416NSA

品牌
PJ
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOSFETs N-Channel 20V 6.5A 22mΩ@4.5V

物料参数

安装类型:SMT
功率耗散:1.2W
击穿电压:20V
阈值电压:1V@250μA
额定功率:1.2W
包装:Tape/reel
连续漏极电流:6.5A
长x宽/尺寸:2.90 x 1.30mm
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:SOT-23
栅极源极击穿电压:±8V
工作温度:+150℃
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):22mΩ
漏源电压(Vdss):20V
认证信息:RoHS
栅极电荷(Qg):10nC
零件状态:Active
高度:1.025mm
晶体管类型:N沟道