SPT10N120T1
品牌
SPTECH
供应商
分类
晶体管 > IGBT
描述
1200V/10A沟槽场阻IGBT
物料参数
| 正向电流: | 20A |
| 安装类型: | 插件 |
| 品牌: | SPTECH |
| 关断损耗: | 0.17mJ |
| 功率耗散: | 260W |
| 关断延迟时间: | 70ns |
| 原始制造商: | SPTECH Electronics Co. Ltd |
| Vce饱和压降: | 1.6V |
| 包装: | Tube packing |
| 集射极击穿电压Vceo: | 1.2KV |
| 跃迁频率: | - |
| 导通损耗: | 1.2mJ |
| 存储温度: | -40℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | TO-247-3 |
| 工作温度: | -40℃~+150℃ |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China |
| 开通延迟时间: | 22ns |
| 晶体管类型: | FS(场截止) |
| DC电流增益(hFE): | - |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥5.0050 |
| 10+ | ¥4.6200 |
| 30+ | ¥4.5430 |
| 包装：1 | 库存：0 |