SPT10N120T1

品牌
SPTECH
供应商
分类
晶体管 > IGBT
描述
1200V/10A沟槽场阻IGBT

物料参数

正向电流:20A
安装类型:插件
集射极击穿电压Vce(Max):1.2KV
Vce饱和压降:1.6V
包装:Tube packing
极性:NPN
跃迁频率:-
存储温度:-40℃~+150℃
长x宽/尺寸:16.13 x 5.21mm
封装/外壳:TO-247-3
元件生命周期:Active
上升/下降沿时间:15ns
工作温度:-40℃~+150℃
集电极电流 Ic:10A
配置:单路
高度:25.57mm
零件状态:Active
DC电流增益(hFE):-
晶体管类型:FS(场截止)
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
1+¥5.0050
10+¥4.6200
30+¥4.5430
包装:1 库存:0