NCE3400AY

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):5.8A 功率(Pd):1.4W

物料参数

安装类型:SMT
品牌:NCE
击穿电压:30V
阈值电压:1.4V@250μA
额定功率:1.4W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):27mΩ@10V,5.8A
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:5.8A
封装/外壳:SOT23-3
漏极电流:1uA
栅极源极击穿电压:±12V
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
原产国家:China
Vgs(Max):12V
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):10nC
晶体管类型:N沟道
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
10+¥0.4238
100+¥0.3276
600+¥0.2796
1200+¥0.2754
3000+¥0.2436
包装:10 库存:933
价格梯度 价格
1+¥0.2205
包装:1 库存:78