NCE3400AY

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):5.8A 功率(Pd):1.4W

物料参数

安装类型:SMT
品牌:NCE
漏源电流(Idss):1uA
击穿电压:30V
阈值电压:1.4V
原始制造商:WUXI NCE POWER CO., Ltd.
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:5.8A
封装/外壳:SOT-23-3
输入电容(Ci):825pF
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
Vgs(Max):12V
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):30V
导通电阻(RDS(on):27mΩ@10V,5.8A
栅极电荷(Qg):10nC
高度:1.15mm
晶体管类型:N沟道
价格梯度 价格
1+¥0.2205
包装:1 库存:8