NCE20P70G

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOSFETs 1个P沟道 耐压:20V 电流:70A DFN8_5X6MM

物料参数

安装类型:SMT
品牌:NCE
漏源电流(Idss):1uA
阈值电压:600mV
额定功率:130W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.3mΩ@4.5V,20A
包装:Tape/reel
连续漏极电流:70A
长x宽/尺寸:5.10 x 6.13mm
封装/外壳:DFN5x6-8L
栅极源极击穿电压:±10V
工作温度:-55℃~+150℃
充电电量:100nC
原产国家:China
Vgs(Max):20V
最小包装:5000pcs
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):100nC
零件状态:Active
晶体管类型:P沟道
价格梯度 价格
1+¥3.9402
10+¥3.0294
1000+¥1.8018
包装:1 库存:3125