AP3401

品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
P沟道功率MOSFET SOT23-3 VDS=30V VGS=±12V ID=4.2A

物料参数

安装类型:SMT
漏源电流(Idss):-4.2A
击穿电压:30V
功率耗散:1.4W
阈值电压:0.95V
原始制造商:Shenzhen Quan Li Semiconductor Co., Ltd.
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
连续漏极电流:4.2A
封装/外壳:SOT-23
元件生命周期:Active
栅极源极击穿电压:±12V
工作温度:-55℃~+150℃
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):30V
导通电阻(RDS(on):60mΩ@10V
高度:1.50mm
晶体管类型:P沟道
类型:1个P沟道
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
10+¥0.1882
100+¥0.1854
600+¥0.1682
1200+¥0.1657
包装:10 库存:757