NCE6020AI

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 Vdss=60V Id=20A Pd=45W

物料参数

安装类型:插件
漏源电流(Idss):1uA
阈值电压:2.5V@250µA
原始制造商:WUXI NCE POWER CO., Ltd.
包装:Tube packing
连续漏极电流:20A
封装/外壳:TO-251-3
元件生命周期:Active
输入电容(Ci):500pF
工作温度:-55℃~+175℃
充电电量:25nC
配置:单路
Vgs(Max):±20V
最小包装:75pcs
漏源电压(Vdss):60V
导通电阻(RDS(on):35mΩ@10V
栅极电荷(Qg):25nC
高度:7.05mm
晶体管类型:N沟道
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
1+¥1.0652
包装:1 库存:10