NCE6020AI

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 Vdss=60V Id=20A Pd=45W

物料参数

安装类型:插件
品牌:NCE
漏源电流(Idss):1uA
击穿电压:60V
阈值电压:2.5V@250µA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V,20A
包装:Tube packing
极性:N-沟道
连续漏极电流:20A
封装/外壳:TO-251-3
反向传输电容Crss:25pF
工作温度:-55℃~+175℃
配置:单路
原产国家:China
Vgs(Max):±20V
漏源电压(Vdss):60V
栅极电荷(Qg):25nC
高度:7.05mm
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道
价格梯度 价格
1+¥1.0652
包装:1 库存:10