NCE6020AI
品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
N沟道 Vdss=60V Id=20A Pd=45W
物料参数
| 安装类型: | 插件 |
| 漏源电流(Idss): | 1uA |
| 阈值电压: | 2.5V |
| 原始制造商: | WUXI NCE POWER CO., Ltd. |
| 包装: | Tube packing |
| 连续漏极电流: | 20A |
| 存储温度: | -55℃~+175℃ |
| 长x宽/尺寸: | 6.65 x 2.40mm |
| 封装/外壳: | TO-251-3 |
| 元件生命周期: | Active |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 输入电容(Ci): | 500pF |
| 工作温度: | -55℃~+175℃ |
| 配置: | 单路 |
| Vgs(Max): | ±20V |
| 最小包装: | 75pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 60V |
| 栅极电荷(Qg): | 25nC |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 引脚数: | 3Pin |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.0652 |
| 包装：1 | 库存：10 |