AO4262E

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晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
表面贴装型 N 通道 60 V 16.5A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SO

物料参数

安装类型:SMT
功率耗散:3.1W
技术路线:MOSFET (Metal Oxide)
阈值电压:2.2V
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:16.5A
长x宽/尺寸:4.90 x 3.90mm
封装/外壳:SO-8_4.9X3.9MM
栅极源极击穿电压:±20V
输入电容(Ci):1.652nF
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
Vgs(Max):±20V
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):60V
栅极电荷(Qg):25nC
高度:1.65mm
晶体管类型:N沟道
引脚数:8Pin
价格梯度 价格
1+¥2.4153
包装:1 库存:2024