AOSP21321
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分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
表面贴装型 P 通道 30 V 11A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 功率耗散: | 3.1W |
| 击穿电压: | -30V |
| 阈值电压: | 2.3V |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 11A |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 长x宽/尺寸: | 5.00 x 4.00mm |
| 封装/外壳: | SOIC8N_150MIL |
| 栅极源极击穿电压: | ±25V |
| 反向传输电容Crss: | 1180pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 配置: | 单路 |
| Vgs(Max): | ±25V |
| 最小包装: | 3000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 栅极电荷(Qg): | 34nC@10V |
| 高度: | 1.50mm |
| 引脚数: | 8Pin |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥1.2208 |
| 50+ | ¥0.9777 |
| 150+ | ¥0.8770 |
| 包装：5 | 库存：159 |