AOSP21321

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分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
表面贴装型 P 通道 30 V 11A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC

物料参数

安装类型:SMT
湿气敏感性等级 (MSL):1(无限)
击穿电压:-30V
功率耗散:3.1W
阈值电压:2.3V
极性:P-沟道
连续漏极电流:11A
长x宽/尺寸:5.00 x 4.00mm
封装/外壳:SOIC-8
反向传输电容Crss:1180pF
栅极源极击穿电压:±25V
输入电容(Ci):155pF
工作温度:-55℃~+150℃
Vgs(Max):±25V
漏源电压(Vdss):30V
导通电阻(RDS(on):14mΩ@10V
栅极电荷(Qg):34nC@10V
高度:1.50mm
零件状态:Active
引脚数:8Pin
类型:1个P沟道
价格梯度 价格
5+¥1.2318
50+¥0.9967
150+¥0.8996
500+¥0.7657
3000+¥0.6123
包装:5 库存:159