AOSP21321
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晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
表面贴装型 P 通道 30 V 11A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 湿气敏感性等级 (MSL): | 1(无限) |
| 击穿电压: | -30V |
| 功率耗散: | 3.1W |
| 阈值电压: | 2.3V |
| 极性: | P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 11A |
| 长x宽/尺寸: | 5.00 x 4.00mm |
| 封装/外壳: | SOIC-8 |
| 反向传输电容Crss: | 1180pF |
| 栅极源极击穿电压: | ±25V |
| 输入电容(Ci): | 155pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| Vgs(Max): | ±25V |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 导通电阻(RDS(on): | 14mΩ@10V |
| 栅极电荷(Qg): | 34nC@10V |
| 高度: | 1.50mm |
| 零件状态: | Active |
| 引脚数: | 8Pin |
| 类型: | 1个P沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥1.2318 |
| 50+ | ¥0.9967 |
| 150+ | ¥0.8996 |
| 500+ | ¥0.7657 |
| 3000+ | ¥0.6123 |
| 包装:5 | 库存:159 |