NCE7560K

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):75V 连续漏极电流(Id):60A 功率(Pd):140W

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:75V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@10V,30A
包装:Tape/reel
连续漏极电流:60A
存储温度:-55℃~+175℃
封装/外壳:TO-252(DPAK)
漏极电流:1uA
栅极源极击穿电压:±20V
反向传输电容Crss:260pF
工作温度:-55℃~+175℃
充电电量:100nC
配置:单路
输入电容:4.4nF
Vgs(Max):20V
漏源电压(Vdss):75V
栅极电荷(Qg):100nC
晶体管类型:N沟道
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
1+¥2.2103
10+¥2.0722
50+¥1.8650
150+¥1.7268
300+¥1.6301
500+¥1.5887
包装:1 库存:220
价格梯度 价格
1+¥1.3230
包装:1 库存:90