NCE7560K
品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss)：75V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：140W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 漏源电流(Idss): | 1uA |
| 击穿电压: | 75V |
| 阈值电压: | 4V |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 60A |
| 存储温度: | -55℃~+175℃ |
| 封装/外壳: | TO-252(DPAK) |
| 输入电容(Ci): | 4.4nF |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 反向传输电容Crss: | 260pF |
| 工作温度: | -55℃~+175℃ |
| 充电电量: | 100nC |
| 配置: | 单路 |
| Vgs(Max): | 20V |
| 漏源电压(Vdss): | 75V |
| 导通电阻(RDS(on): | 8.5mΩ@10V,30A |
| 栅极电荷(Qg): | 100nC |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 类型: | 1个N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.2148 |
| 10+ | ¥2.0763 |
| 50+ | ¥1.8687 |
| 150+ | ¥1.7303 |
| 300+ | ¥1.6334 |
| 500+ | ¥1.5919 |
| 包装：1 | 库存：175 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.3230 |
| 包装：1 | 库存：80 |