NCE7560K

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):75V 连续漏极电流(Id):60A 功率(Pd):140W

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:75V
阈值电压:4V@250µA
原始制造商:WUXI NCE POWER CO., Ltd.
额定功率:140W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@10V,30A
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:60A
封装/外壳:TO-252(DPAK)
漏极电流:1uA
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:-55℃~+175℃
配置:单路
输入电容:4.4nF
Vgs(Max):20V
漏源电压(Vdss):75V
栅极电荷(Qg):100nC
晶体管类型:N沟道
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
5+¥2.5555
50+¥1.9665
150+¥1.7100
包装:5 库存:264
价格梯度 价格
1+¥1.3230
包装:1 库存:90