AP2P053N
品牌
APEC
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：1.25W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 功率耗散: | 1.25W |
| 阈值电压: | 1.2V |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 53mΩ@10V,4.5A |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 4.2A |
| 长x宽/尺寸: | 2.90 x 1.30mm |
| 封装/外壳: | SOT23S |
| 元件生命周期: | Active |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 充电电量: | 16nC |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China |
| 最小包装: | 3000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 栅极电荷(Qg): | 16nC |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | P沟道 |
| 类型: | 1个P沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.3831 |
| 100+ | ¥0.3559 |
| 300+ | ¥0.3288 |
| 500+ | ¥0.3017 |
| 2000+ | ¥0.2881 |
| 5000+ | ¥0.2800 |
| 包装：1 | 库存：2995 |