AON6220

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分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
表面贴装型 N 通道 100 V 48A(Tc) 113.5W(Tc) 8-DFN(5x6)

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:100V
功率耗散:113.5W
阈值电压:1.75V
极性:N-沟道
连续漏极电流:48A
长x宽/尺寸:5.55 x 5.20mm
封装/外壳:DFN-8(5x6)
反向传输电容Crss:22.5pF
栅极源极击穿电压:±20V
输入电容(Ci):4.525nF
工作温度:-55℃~+150℃
Vgs(Max):±20V
漏源电压(Vdss):100V
导通电阻(RDS(on):5.1mΩ@10V,20A
栅极电荷(Qg):95nC
高度:0.95mm
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道
引脚数:8Pin
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
1+¥5.1450
包装:1 库存:0