AO4892
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分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
MOSFETs Dual N-Channel VDS=100V ID=4A PD=2W SOIC8_150MIL
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | AOS |
| 功率耗散: | 2W |
| 阈值电压: | 2.8V |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 4A |
| 封装/外壳: | SOIC-8 |
| 元件生命周期: | Active |
| 输入电容(Ci): | 415pF@50V |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 系列: | - |
| FET功能: | 标准 |
| Vgs(Max): | ±20V |
| 漏源电压(Vdss): | 100V |
| 栅极电荷(Qg): | 12nC@10V |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | - |
| 引脚数: | 8Pin |