2SD882PU
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晶体管 > 通用三极管
描述
VCEO=30V hFE=320 fT=90MHz
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | CBI |
| 功率耗散: | 1W |
| 额定功率: | 1W |
| 集射极击穿电压Vce(Max): | 30V |
| Vce饱和压降: | 500mV |
| 跃迁频率: | 90MHz |
| 长x宽/尺寸: | 4.50 x 2.50mm |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | SOT89-3 |
| 工作温度: | +150℃ |
| 集电极-发射极电压 VCEO: | 30V |
| 集电极电流 Ic: | 3A |
| 原产国家: | China |
| 特征频率(fT): | 90MHz |
| 高度: | 1.50mm |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | NPN |
| DC电流增益(hFE): | 30 |
| 引脚数: | 3Pin |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.1253 |
| 包装：1 | 库存：388 |