SPT15N120T1

品牌
SPTECH
供应商
分类
晶体管 > IGBT
描述
1200V/15A沟槽场阻IGBT

物料参数

安装类型:插件
正向电流:30A
品牌:SPTECH
关断损耗:0.31mJ
功率耗散:208W
原始制造商:SPTECH Electronics Co. Ltd
Vce饱和压降:1.7V
包装:Tube packing
跃迁频率:-
集射极击穿电压Vceo:1.2KV
集射极饱和电压(VCE(sat)):2.1V@15A,15V
导通损耗:1.9mJ
封装/外壳:TO-247-3
工作温度:-40℃~+150℃
配置:单路
反向恢复时间(trr):270ns
开通延迟时间:55ns
栅极电荷(Qg):137nC@15V
DC电流增益(hFE):-
晶体管类型:FS(场截止)
价格梯度 价格
1+¥4.2900
10+¥3.9600
30+¥3.8940
包装:1 库存:0