AP2045Q
品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：65A 功率(Pd)：35W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 阈值电压: | 900mV@250µA |
| 额定功率: | 35W |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 4.6mΩ@4.5V,20A |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 65A |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 长x宽/尺寸: | 3.15 x 3.05mm |
| 封装/外壳: | DFN8_3.3X3.3MM |
| 反向传输电容Crss: | 400pF@10V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China |
| 最小包装: | 5000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 栅极电荷(Qg): | 99.2nC |
| 高度: | 1.00mm |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 类型: | 1个N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.4725 |
| 10+ | ¥0.4550 |
| 100+ | ¥0.4130 |
| 500+ | ¥0.3920 |
| 包装：1 | 库存：4919 |