AP2045Q
品牌
ALLPOWER
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分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：65A 功率(Pd)：35W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 功率耗散: | 35W |
| 阈值电压: | 900mV@250µA |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 65A |
| 长x宽/尺寸: | 3.15 x 3.05mm |
| 封装/外壳: | DFN-8(3.3x3.3) |
| 反向传输电容Crss: | 400pF@10V |
| 输入电容(Ci): | 4.4nF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 导通电阻(RDS(on): | 4.6mΩ@4.5V,20A |
| 栅极电荷(Qg): | 99.2nC |
| 高度: | 1.00mm |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 类型: | 1个N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥0.7598 |
| 50+ | ¥0.5945 |
| 150+ | ¥0.5131 |
| 500+ | ¥0.4475 |
| 2500+ | ¥0.3545 |
| 5000+ | ¥0.3282 |
| 包装：5 | 库存：4889 |