AP2045Q

品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):65A 功率(Pd):35W

物料参数

安装类型:SMT
品牌:ALLPOWER
功率耗散:35W
阈值电压:900mV@250µA
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:65A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:3.15 x 3.05mm
封装/外壳:DFN8_3.3X3.3MM
反向传输电容Crss:400pF@10V
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
原产国家:China
输入电容:4.4nF
漏源电压(Vdss):20V
认证信息:RoHS
栅极电荷(Qg):99.2nC
晶体管类型:N沟道
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
5+¥0.6634
50+¥0.4997
1000+¥0.3564
2000+¥0.3073
包装:5 库存:4899