BULN2803LVS

品牌
BORN
供应商
分类
晶体管 > 达林顿晶体管阵列
描述
达林顿驱动电路系列

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
功率耗散:-
集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO:18V
原始制造商:BORN SEMICONDUCTOR
包装:Tape/reel
集射极击穿电压Vceo:18V
集射极饱和电压(VCE(sat)):180V
反向电流Ir:100µA
正向压降VF:1.3V
长x宽/尺寸:11.55 x 7.50mm
封装/外壳:SOIC-18-300mil
工作温度:-40℃~+85℃
集电极电流 Ic:50μA
配置:8隔离电阻
最小包装:2000pcs
零件状态:Active
高度:2.65mm
类型:BJT
引脚数:18Pin
价格梯度 价格
5+¥1.1952
50+¥0.9729
400+¥0.7588
800+¥0.7474
2000+¥0.6743
包装:5 库存:1230
价格梯度 价格
1+¥1.1151
包装:1 库存:10