AP3908GD

品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):25A 功率(Pd):32W

物料参数

安装类型:SMT
功率耗散:32W
阈值电压:1.5V
极性:N-沟道,P-沟道
连续漏极电流:25A
长x宽/尺寸:5.75 x 4.90mm
封装/外壳:PDFN-8(5x6)
输入电容(Ci):900pF
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压(Vdss):30V
导通电阻(RDS(on):19mΩ
栅极电荷(Qg):19nC
高度:1.10mm
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道和P沟道互补型
类型:1个N沟道+1个P沟道
价格梯度 价格
5+¥1.0783
50+¥0.8379
150+¥0.7375
500+¥0.6015
2500+¥0.5255
包装:5 库存:4504