AP3400

品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
N沟道功率MOSFET SOT23 VDS=30V VGS=±12V ID=5.8A

物料参数

安装类型:SMT
品牌:ALLPOWER
漏源电流(Idss):5.8A
功率耗散:1.4W
击穿电压:30V
阈值电压:1.1V
原始制造商:Shenzhen Quan Li Semiconductor Co., Ltd.
包装:Tape/reel
原产地:China
连续漏极电流:5.8A
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:SOT-23
输入电容(Ci):823pF
反向传输电容Crss:77pF
栅极源极击穿电压:±12V
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压(Vdss):30V
导通电阻(RDS(on):32mΩ@10V
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道
价格梯度 价格
20+¥0.2044
200+¥0.1651
600+¥0.1436
包装:20 库存:4859