AP2328GN-HF

品牌
APEC
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
N沟道增强型功率MOSFET SOT23 VDS=30V VGS=±20V ID=4A

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:30V
功率耗散:1.38W
阈值电压:1.5V
包装:Tape/reel
原产地:China
连续漏极电流:4A
长x宽/尺寸:2.90 x 1.60mm
封装/外壳:SOT-23
元件生命周期:Active
工作温度:-55℃~+150℃
Vgs(Max):±12V
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):30V
导通电阻(RDS(on):90mΩ
栅极电荷(Qg):9.6nC
零件状态:Active
高度:1.08mm
晶体管类型:N沟道
引脚数:3Pin
无库存