AONS62922
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晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
DFN8_5.55X5.2MM_EP 215W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 湿气敏感性等级 (MSL): | 1（无限） |
| 击穿电压: | 120V |
| 功率耗散: | 215W |
| 极性: | P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 85A |
| 长x宽/尺寸: | 5.55 x 5.20mm |
| 封装/外壳: | DFN-8-EP(5.2x5.6) |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 输入电容(Ci): | 3.295nF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| Vgs(Max): | ±20V |
| 漏源电压(Vdss): | 120V |
| 导通电阻(RDS(on): | 7.1mΩ |
| 栅极电荷(Qg): | 65nC |
| 高度: | 0.95mm |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 引脚数: | 8Pin |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥10.7996 |
| 10+ | ¥9.1014 |
| 30+ | ¥8.1361 |
| 100+ | ¥7.0526 |
| 500+ | ¥5.4153 |
| 包装：1 | 库存：10 |