2N7002KW

品牌
BORN
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
N沟道MOSFET VDS=60V ID=0.2A SOT323

物料参数

安装类型:SMT
品牌:BORN
漏源电流(Idss):0.2A
击穿电压:60V
功率耗散:225mW
阈值电压:1.5V
包装:Tape/reel
原产地:China
连续漏极电流:200mA
长x宽/尺寸:2.10 x 1.25mm
封装/外壳:SOT-323
栅极源极击穿电压:±20V
输入电容(Ci):18.5pF@30V
工作温度:+150℃
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):60V
高度:1.00mm
晶体管类型:N沟道
引脚数:3Pin
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
20+¥0.1558
300+¥0.1238
1200+¥0.1059
3000+¥0.0946
包装:20 库存:4294