NCE30NP07S
品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V ID:6.5/7 功率(Pd)：2W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 漏源电流(Idss): | 1uA |
| 阈值电压: | 3V |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 7A |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | SOP-8 |
| 元件生命周期: | Active |
| 输入电容(Ci): | 485.8pF@15V |
| 反向传输电容Crss: | 54pF@15V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 充电电量: | 12.6nC |
| 配置: | 单路 |
| Vgs(Max): | 30V |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 导通电阻(RDS(on): | 19mΩ@10V,6A |
| 栅极电荷(Qg): | 12.6nC |
| 晶体管类型: | N沟道和P沟道互补型 |
| 引脚数: | 8Pin |
| 类型: | 1个N沟道+1个P沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.6520 |
| 10+ | ¥0.6279 |
| 100+ | ¥0.5555 |
| 500+ | ¥0.5410 |
| 包装：1 | 库存：0 |