AON7410

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分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
MOSFETs N-Channel VDS=30V ID=9.5A DFN8_3X3MM_EP

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
技术路线:-
阈值电压:2.5V
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:9.5A
长x宽/尺寸:3.00 x 3.00mm
封装/外壳:DFN-8-EP(3x3)
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
FET功能:-
Vgs(Max):±20V
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):30V
导通电阻(RDS(on):20mΩ@10V
栅极电荷(Qg):12nC@10V
高度:0.80mm
晶体管类型:N沟道
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
5+¥0.6769
包装:5 库存:0