PJM60H12MNSA
品牌
PJ
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
MOSFETs N-Channel VDS=600V ID=30mA SOT23
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 功率耗散: | 500mW |
| 原始制造商: | Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd. |
| 包装: | Tape/reel |
| 印字代码: | F501D |
| 原产地: | China |
| 连续漏极电流: | 30mA |
| 长x宽/尺寸: | 2.90 x 1.30mm |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | SOT-23 |
| 输入电容(Ci): | 50pF |
| 反向传输电容Crss: | 1.08pF |
| 工作温度: | +150℃ |
| 充电电量: | 1.14nC |
| 配置: | 单路 |
| Vgs(Max): | ±20V |
| 漏源电压(Vdss): | 600V |
| 认证信息: | RoHS |
| 栅极电荷(Qg): | 1.14nC |
| 晶体管类型: | N沟道 |