JMTQ55P02A

品牌
JJW
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):55A 功率(Pd):38W

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
功率耗散:38W
击穿电压:-20V
阈值电压:-0.65V
额定功率:38W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.6mΩ@4.5V,15A
包装:Tape/reel
连续漏极电流:55A
封装/外壳:PDFN8_3.3X3.3MM
元件生命周期:Active
反向传输电容Crss:459pF
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
Vgs(Max):±12V
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):46nC@4.5V
晶体管类型:P沟道
类型:1个P沟道
价格梯度 价格
1+¥0.8775
10+¥0.8450
100+¥0.7670
500+¥0.7280
包装:1 库存:0