AP20P30Q
品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：40W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 是否无铅: | Yes |
| 击穿电压: | -30V |
| 功率耗散: | 21.5W |
| 阈值电压: | 1.5V |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 20A |
| 封装/外壳: | DFN-8(3x3) |
| 元件生命周期: | Active |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 反向传输电容Crss: | 319pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 配置: | 单路 |
| 最小包装: | 5000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 导通电阻(RDS(on): | 10.5mΩ@10V |
| 栅极电荷(Qg): | 30nC |
| 高度: | 0.75mm |
| 零件状态: | Active |
| 类型: | 1个P沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥1.0240 |
| 包装：5 | 库存：32 |