AO4407A
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分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOSFETs P-沟道 30V 12A SOIC-8
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 功率耗散: | 3.1W |
| 阈值电压: | 3V@250µA |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 12A |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | SOIC-8 |
| 制造商标准提前期: | 16 周 |
| 漏极电流: | 12A |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 配置: | 单路 |
| 系列: | - |
| FET功能: | - |
| Vgs(Max): | ±25V |
| 最小包装: | 3000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 栅极电荷(Qg): | 39nC@10V |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | P沟道 |
| 类型: | 1个P沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥1.1776 |
| 50+ | ¥0.9382 |
| 600+ | ¥0.7077 |
| 1200+ | ¥0.6971 |
| 3000+ | ¥0.5663 |
| 包装：1 | 库存：1768 |