AO4407A

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供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOSFETs P-沟道 30V 12A SOIC-8

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
漏源电流(Idss):12A
技术路线:MOSFET (Metal Oxide)
阈值电压:3V@250µA
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
连续漏极电流:12A
长x宽/尺寸:4.90 x 3.90mm
封装/外壳:SOIC-8
元件生命周期:Active
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
原产国家:America
FET功能:-
Vgs(Max):±25V
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):39nC@10V
高度:1.65mm
晶体管类型:P沟道
价格梯度 价格
5+¥1.3226
50+¥1.0757
包装:5 库存:56