AON7534

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晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
表面贴装型 N 通道 30 V 20A(Ta),30A(Tc) 3W(Ta),23W(Tc) 8-DFN-EP(3x3)

物料参数

安装类型:SMT
湿气敏感性等级 (MSL):1(无限)
击穿电压:30V
功率耗散:23W
阈值电压:2.2V
极性:N沟道
连续漏极电流:30A
长x宽/尺寸:3.00 x 3.00mm
封装/外壳:DFN-8(3x3)
反向传输电容Crss:61pF
栅极源极击穿电压:±20V
输入电容(Ci):1.037nF
工作温度:-55℃~+150℃
系列:-
FET功能:-
Vgs(Max):±20V
漏源电压(Vdss):30V
导通电阻(RDS(on):5mΩ@10V
栅极电荷(Qg):22nC@10V
高度:0.80mm
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道
引脚数:5Pin
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
5+¥1.3132
50+¥1.0690
包装:5 库存:7