AO4421
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分类
晶体管 > MOSFETs
描述
表面贴装型 P通道 60V 6.2A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 漏源电流(Idss): | 6.2A |
| 功率耗散: | 3.1W |
| 阈值电压: | 3V@250µA |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 6.2A |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | SOIC-8 |
| 制造商标准提前期: | 16 周 |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 充电电量: | 55nC |
| 配置: | 单路 |
| 输入电容: | 2.9nF@30V |
| FET功能: | - |
| Vgs(Max): | ±20V |
| 漏源电压(Vdss): | 60V |
| 栅极电荷(Qg): | 55nC@10V |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | P沟道 |
| 类型: | 1个P沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.2046 |
| 10+ | ¥2.5382 |
| 30+ | ¥2.2442 |
| 100+ | ¥1.8914 |
| 包装:1 | 库存:296 |