MMDT3904DW

品牌
供应商
分类
晶体管 > 通用三极管
描述
K6N(K6N表示丝印)

物料参数

安装类型:SMT
品牌:CBI
功率耗散:200mW
额定功率:200mW
Vce饱和压降:300mV
集射极击穿电压Vce(Max):40V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):40V
跃迁频率:300MHz
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:2.00 x 1.25mm
封装/外壳:SOT-363
工作温度:+150℃
集电极电流 Ic:200mA
原产国家:China
特征频率(fT):300MHz
零件状态:Active
高度:0.90mm
DC电流增益(hFE):100
晶体管类型:2个NPN
引脚数:6Pin
价格梯度 价格
50+¥0.1345
600+¥0.0897
1200+¥0.0884
3000+¥0.0695
包装:50 库存:1950