AP4438

品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道功率MOSFET SOT89 VDS=30V VGS=±12V ID=11.8A

物料参数

安装类型:SMT
品牌:ALLPOWER
功率耗散:2.5W
击穿电压:30V
阈值电压:3V@250µA
额定功率:2.5W
原始制造商:Shenzhen Quan Li Semiconductor Co., Ltd.
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:11.8A
封装/外壳:SOT89-3
反向传输电容Crss:105pF
栅极源极击穿电压:±12V
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
原产国家:China
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):16.8nC
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
10+¥0.4032
包装:10 库存:114