AP4438

品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道功率MOSFET SOT89 VDS=30V VGS=±12V ID=11.8A

物料参数

安装类型:SMT
功率耗散:2.5W
击穿电压:30V
阈值电压:3V@250µA
额定功率:2.5W
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:11.8A
长x宽/尺寸:4.60 x 2.60mm
封装/外壳:SOT89-3
反向传输电容Crss:105pF
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
原产国家:China
输入电容:1.28nF
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):16.8nC
高度:1.60mm
晶体管类型:N沟道
引脚数:3Pin
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
1+¥0.4350
30+¥0.4200
100+¥0.3900
500+¥0.3600
1000+¥0.3450
包装:1 库存:77