AP4438

品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
N沟道功率MOSFET SOT89 VDS=30V VGS=±12V ID=11.8A

物料参数

安装类型:SMT
功率耗散:2.5W
阈值电压:3V
原始制造商:Shenzhen Quan Li Semiconductor Co., Ltd.
包装:Tape/reel
连续漏极电流:11.8A
长x宽/尺寸:4.60 x 2.60mm
封装/外壳:SOT89-3
元件生命周期:Active
栅极源极击穿电压:±12V
输入电容(Ci):1.28nF
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
最小包装:1000pcs
漏源电压(Vdss):30V
导通电阻(RDS(on):11.5mΩ@10V
栅极电荷(Qg):16.8nC
零件状态:Active
高度:1.60mm
晶体管类型:N沟道
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
10+¥0.4487
100+¥0.3661
300+¥0.3256
1000+¥0.2938
5000+¥0.2673
10000+¥0.2541
包装:10 库存:114