AO4406A

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晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
表面贴装型 N 通道 30 V 13A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC

物料参数

安装类型:SMT
湿气敏感性等级 (MSL):1(无限)
击穿电压:30V
功率耗散:3.1W
阈值电压:2.5V
极性:N沟道
连续漏极电流:13A
长x宽/尺寸:4.90 x 3.90mm
封装/外壳:SOIC-8
反向传输电容Crss:70pF
栅极源极击穿电压:±20V
输入电容(Ci):910pF@15V
工作温度:-55℃~+150℃
系列:-
FET功能:-
Vgs(Max):±20V
漏源电压(Vdss):30V
导通电阻(RDS(on):11.5mΩ@10V
栅极电荷(Qg):17nC@10V
高度:1.65mm
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道
引脚数:8Pin
类型:N沟道
价格梯度 价格
1+¥1.5444
包装:1 库存:30