AOD4185

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分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
MOSFETs P-沟道 40V 40A TO-252(DPAK)

物料参数

安装类型:SMT
湿气敏感性等级 (MSL):1(无限)
击穿电压:40V
功率耗散:62.5W
阈值电压:3V
极性:P-沟道
连续漏极电流:40A
长x宽/尺寸:6.60 x 6.10mm
封装/外壳:TO-252(DPAK)
反向传输电容Crss:190pF
栅极源极击穿电压:±20V
输入电容(Ci):2.55nF@20V
工作温度:-55℃~+150℃
系列:-
FET功能:-
Vgs(Max):±20V
漏源电压(Vdss):40V
导通电阻(RDS(on):15mΩ@10V
栅极电荷(Qg):55nC@10V
高度:2.29mm
零件状态:Active
晶体管类型:P沟道
引脚数:3Pin
类型:1个P沟道
价格梯度 价格
5+¥2.1814
50+¥1.7250
150+¥1.4913
500+¥1.2892
包装:5 库存:26619
价格梯度 价格
30+¥2.1480
100+¥1.6560
1250+¥1.4400
2500+¥1.3560
包装:1 库存:31005