AP3003

品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.2A

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:33V
阈值电压:1.3V
额定功率:1.2W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):19mΩ@10V,4.2A
包装:Tape/reel
极性:N-沟道,P-沟道
连续漏极电流:4.2A
长x宽/尺寸:3.02 x 1.70mm
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:SOT23-6
工作温度:-55℃~+150℃
配置:双路
原产国家:China
Vgs(Max):±12V
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):5nC
高度:0.90mm
类型:1个N沟道+1个P沟道
价格梯度 价格
1+¥0.3960
100+¥0.3696
300+¥0.3432
500+¥0.3168
2000+¥0.3036
5000+¥0.2957
包装:1 库存:0