NCE3080IA
品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：83W
物料参数
| 安装类型: | 插件 |
| 漏源电流(Idss): | 1uA |
| 功率耗散: | 83W |
| 阈值电压: | 1.4V@250μA |
| 包装: | Tube packing |
| 连续漏极电流: | 80A |
| 存储温度: | -55℃~+175℃ |
| 长x宽/尺寸: | 6.65 x 2.40mm |
| 封装/外壳: | TO-251-3 |
| 元件生命周期: | Active |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 输入电容(Ci): | 2.33nF |
| 工作温度: | -55℃~+175℃ |
| 配置: | 单路 |
| Vgs(Max): | ±20V |
| 最小包装: | 75pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 栅极电荷(Qg): | 51nC |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 引脚数: | 3Pin |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.8387 |
| 10+ | ¥1.4139 |
| 30+ | ¥1.2319 |
| 包装：1 | 库存：35 |