NCE3080IA

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):80A 功率(Pd):83W

物料参数

安装类型:插件
漏源电流(Idss):1uA
阈值电压:1.4V
原始制造商:WUXI NCE POWER CO., Ltd.
包装:Tube packing
连续漏极电流:80A
存储温度:-55℃~+175℃
长x宽/尺寸:6.65 x 2.40mm
封装/外壳:TO-251-3
元件生命周期:Active
栅极源极击穿电压:±20V
输入电容(Ci):2.33nF
工作温度:-55℃~+175℃
配置:单路
Vgs(Max):±20V
最小包装:75pcs
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):51nC
晶体管类型:N沟道
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
1+¥2.1792
10+¥1.6975
30+¥1.4896
75+¥1.2152
包装:1 库存:35