AO4468
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晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
30V N沟道MOSFET VDS=30V ID=10.5A PD=3.1W SOIC8_150MIL
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 漏源电流(Idss): | 10.5A |
| 阈值电压: | 1.8V |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道 |
| 原产地: | America |
| 连续漏极电流: | 10.5A |
| 封装/外壳: | SOIC-8 |
| 制造商标准提前期: | 16 周 |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 输入电容(Ci): | 1.2nF@15V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 配置: | 单路 |
| 系列: | - |
| FET功能: | - |
| Vgs(Max): | ±20V |
| 最小包装: | 3000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 栅极电荷(Qg): | 24nC@10V |
| 晶体管类型: | N沟道 |