AO4468
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晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
30V N沟道MOSFET VDS=30V ID=10.5A PD=3.1W SOIC8_150MIL
物料参数
| 湿气敏感性等级 (MSL): | 1（无限） |
| 漏源电流(Idss): | 10.5A |
| 击穿电压: | 30V |
| 阈值电压: | 1.8V |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 10.5A |
| 长x宽/尺寸: | 4.90 x 3.90mm |
| 封装/外壳: | SOIC-8 |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 输入电容(Ci): | 1.2nF@15V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| Vgs(Max): | ±20V |
| 栅极电荷(Qg): | 24nC@10V |
| 高度: | 1.65mm |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 引脚数: | 8Pin |
| 安装类型: | SMT |
| 功率耗散: | 3.1W |
| 反向传输电容Crss: | 115pF |
| 系列: | - |
| FET功能: | - |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 导通电阻(RDS(on): | 14mΩ@10V |
| 类型: | 1个N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥0.8962 |
| 50+ | ¥0.7258 |
| 150+ | ¥0.6424 |
| 500+ | ¥0.5743 |
| 3000+ | ¥0.4966 |
| 6000+ | ¥0.4693 |
| 包装：5 | 库存：85 |