AO9926B
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晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
MOSFETs Dual N-Channel VDS=20V ID=7.6A PD=2W SOIC8_150MIL
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 湿气敏感性等级 (MSL): | 1（无限） |
| 功率耗散: | 2W |
| 阈值电压: | 1.1V |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 7.6A |
| 长x宽/尺寸: | 4.90 x 3.90mm |
| 封装/外壳: | SOIC-8 |
| 反向传输电容Crss: | 75pF |
| 输入电容(Ci): | 525pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 系列: | - |
| FET功能: | 逻辑电平门 |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 导通电阻(RDS(on): | 23mΩ@10V |
| 栅极电荷(Qg): | 12.5nC@10V |
| 高度: | 1.75mm |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | - |
| 引脚数: | 8Pin |
| 类型: | 2个N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥1.3605 |
| 50+ | ¥1.0924 |
| 150+ | ¥0.9715 |
| 包装：5 | 库存：28 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 50+ | ¥1.1712 |
| 200+ | ¥0.9000 |
| 1500+ | ¥0.7836 |
| 3000+ | ¥0.7284 |
| 包装：1 | 库存：11315 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 70+ | ¥0.7445 |
| 包装：1 | 库存：266 |