AON6407
品牌
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
-30V,-85A,单P沟道MOSFET
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 是否无铅: | Yes |
| 品牌: | AOS |
| 功率耗散: | 83W |
| 阈值电压Vgs(th): | 2.6V@250µA |
| 连续漏极电流Id@25℃: | 85A |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | P-沟道 |
| 漏源击穿电压BVDSS: | 30V |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: | 6V，10V |
| 封装/外壳: | DFN8_5.5X5.2MM |
| 栅极源极击穿电压: | ±25V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 系列: | - |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | - |
| FET功能: | - |
| 栅极电荷(Qg)(Max): | 105nC@10V |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | P沟道 |