NCE65T1K2F

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±30V ID=4A TO220F-3

物料参数

安装类型:插件
品牌:NCE
功率耗散:28.4W
击穿电压:650V
阈值电压:4V@250µA
原始制造商:WUXI NCE POWER CO., Ltd.
包装:Tube packing
连续漏极电流:2.5A
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:TO-220F-3
元件生命周期:Active
漏极电流:1uA
反向传输电容Crss:0.6pF
栅极源极击穿电压:±30V
工作温度:-55℃~+150℃
充电电量:8.8nC
配置:单路
漏源电压(Vdss):650V
栅极电荷(Qg):12nC
零件状态:Active