NCE65T1K2F

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±30V ID=4A TO220F-3

物料参数

安装类型:插件
品牌:NCE
功率耗散:28.4W
击穿电压:650V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.1Ω@10V,2A
包装:Tube packing
连续漏极电流:2.5A
长x宽/尺寸:10.36 x 4.90mm
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:TO-220F-3
漏极电流:1uA
反向传输电容Crss:0.6pF
工作温度:-55℃~+150℃
充电电量:8.8nC
配置:单路
漏源电压(Vdss):650V
栅极电荷(Qg):12nC
高度:15.97mm
零件状态:Active
价格梯度 价格
1+¥1.5950
30+¥1.5400
100+¥1.4300
500+¥1.3200
1000+¥1.2650
包装:1 库存:100